ZHCADX2
March 2024
LM76003
,
UCC27282
,
UCC27288
1
摘要
商标
1
简介
2
特定应用场景中的设计和潜在风险
3
潜在问题分析
3.1
高占空比导致自举二极管中产生高电流应力
3.1.1
模式 1
3.1.2
模式 2
3.1.3
模式 3
3.1.4
模式 4
3.2
额外电压源的影响
4
设计建议
5
总结
6
参考文献
Application Note
使用半桥栅极驱动器实现高侧 FET 的 100% 占空比
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