主页 电源管理 氮化镓 (GaN) IC
主页
电源管理
氮化镓 (GaN) IC
全新

LMG3522R050

正在供货

具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET

立即订购
数据表

LMG3522R050

正在供货
数据表 立即订购

体育竞猜平台(中国)管理有限公司详情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • 具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns FET 释抑
    • 3.63.6MHz 开关频率
    • 15-V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
  • 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现更低的电源环路电感
  • 具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns FET 释抑
    • 3.63.6MHz 开关频率
    • 15-V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
  • 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现更低的电源环路电感

LMG3522R050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。

LMG3522R050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 15V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

LMG3522R050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。

LMG3522R050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 15V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。
open-in-new 查找其他 氮化镓 (GaN) IC
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此体育竞猜平台(中国)管理有限公司的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 1
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LMG3522R050 650V 50mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 GaN FET 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 9月 5日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LMG342X-BB-EVM — 适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板

LMG342X-BB-EVM 是易于使用的输出板，可将 LMG3422EVM-043 等各种 LMG342xR0x0 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 12A 的输出电流，从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量，因为该板是开环板。

仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.B): PDF | HTML
TI.com 上无现货
子卡

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器子卡的汽车类 650V 30mΩ GaN FET

LMG3522EVM-042 在半桥中配置两个 LMG3522R030 GaN FET，具有逐周期过流保护、短路锁存保护功能和所有必要的辅助外围电路。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源体育竞猜平台(中国)管理有限公司系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短体育竞猜平台(中国)管理有限公司上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
发送申请
参考设计

TIDA-010933 — 基于 GaN 的 1.6kW 双向微型逆变器参考设计

此参考设计展示了一款具有储能功能的基于 GaN 的四输入双向 1.6kW 微型逆变器。
设计指南: PDF
封装 引脚 下载
VQFN (RQS) 52 查看选项
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐体育竞猜平台(中国)管理有限公司可能包含与 TI 此体育竞猜平台(中国)管理有限公司相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

查看全部论坛主题 查看英文版全部论坛主题

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供，并不构成 TI 规范。请参阅使用条款。

如果您对质量、包装或订购 TI 体育竞猜平台(中国)管理有限公司有疑问，请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频