ZHCSBM6A September 2013 – January 2018 CSD13202Q2
PRODUCTION DATA.
3 说明
此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。
顶视图
体育竞猜平台(中国)管理有限公司概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 12 | V | |
| Qg | 总栅极电荷 (4.5V) | 5.1 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 0.76 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 2.5V | 9.1 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 7.5 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 0.8 | V | |
器件信息
| 器件 | 包装介质 | 数量 | 封装 | 发货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD13202Q2 | 7 英寸卷带 | 3000 | SON 2.00mm × 2.00mm 塑料封装 |
卷带封装 |
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 12 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±8 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 22 | A |
| 持续漏极电流(1) | 14.4 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流，TA = 25°C 时测得(2) | 76 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 2.7 | W |
| TJ，TSTG | 工作结温、 储存温度 |
–55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 20A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
20 | mJ |
- RθJA = 45°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 平方英寸，2 盎司覆铜上测得的值。
- 脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%。