ZHCSLD9B May   2020  – November 2020 TPS23730

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性:直流/直流控制器部分
    6. 7.6 电气特性 PoE
    7.     14
    8. 7.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能模块图
    3. 8.3 特性描述
      1. 8.3.1  CLSA、CLSB 分级
      2. 8.3.2  DEN 检测和使能
      3. 8.3.3  APD 辅助电源检测
      4. 8.3.4  PPD 功率检测
      5. 8.3.5  内部导通 MOSFET
      6. 8.3.6  TPH、TPL 和 BT PSE 类型 指标
      7. 8.3.7  直流/直流控制器特性
        1. 8.3.7.1 VCC、VB、VBG 和高级 PWM 启动
        2.       28
        3. 8.3.7.2 CS、斜坡补偿电流和消隐
        4. 8.3.7.3 COMP、FB、EA_DIS、CP、PSRS 和无光耦合器反馈
        5. 8.3.7.4 FRS 频率设置和同步
        6. 8.3.7.5 DTHR 和频率抖动,用于扩频应用
        7. 8.3.7.6 转换开关的 SST 和软启动
        8. 8.3.7.7 转换开关的 SST、I_STP、LINEUV 和软停止
      8. 8.3.8  开关 FET 驱动器 - GATE、GTA2、DT
      9. 8.3.9  EMPS 和自动 MPS
      10. 8.3.10 VDD 电源电压
      11. 8.3.11 RTN、AGND、GND
      12. 8.3.12 VSS
      13. 8.3.13 外露散热焊盘 - PAD_G 和 PAD_S
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1  PoE 概述
      2. 8.4.2  阈值电压
      3. 8.4.3  PoE 启动序列
      4. 8.4.4  检测
      5. 8.4.5  硬件分级
      6. 8.4.6  维持功率特征 (MPS)
      7. 8.4.7  高级启动和转换器运行
      8. 8.4.8  线路欠压保护和转换器运行
      9. 8.4.9  PD 自保护
      10. 8.4.10 热关断 - 直流/直流控制器
      11. 8.4.11 适配器 ORing
  9. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
        1. 9.2.1.1 详细设计过程
          1. 9.2.1.1.1  输入电桥和肖特基二极管
          2. 9.2.1.1.2  输入 TVS 保护
          3. 9.2.1.1.3  输入旁路电容器
          4. 9.2.1.1.4  检测电阻,RDEN
          5. 9.2.1.1.5  分级电阻,RCLSA 和 RCLSB。
          6. 9.2.1.1.6  死区时间电阻器,RDT
          7. 9.2.1.1.7  APD 引脚分压器网络,RAPD1、RAPD2
          8. 9.2.1.1.8  PPD 引脚分压器网络,RPPD1,RPPD2
          9. 9.2.1.1.9  设定频率 (RFRS) 和同步
          10. 9.2.1.1.10 偏置电源要求和 CVCC
          11. 9.2.1.1.11 TPH、TPL 和 BT 接口
          12. 9.2.1.1.12 次级侧软启动
          13. 9.2.1.1.13 传导发射的频率抖动控制
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
    3. 11.3 EMI 遏制
    4. 11.4 散热注意事项和 OTSD
    5. 11.5 ESD
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

内部导通 MOSFET

RTN 引脚为负载提供负电源回路。它在内部连接到 PoE 热插拔 MOSFET 的漏极和直流/直流控制器回路。必须将 RTN 视为直流/直流控制器和转换器初级侧的本地参考平面(接地层),以保持信号完整性。

一旦 VVDD 超过 UVLO 阈值,内部导通 MOSFET 便会将 RTN 拉至 VSS。浪涌限制功能可防止 RTN 电流超过大约 140mA 的标称值,直到大容量电容(CBULK,请参阅图 9-1)充满电为止。必须满足两个条件才能到达浪涌阶段末。第一个条件是当 RTN 电流降至低于标称浪涌电流的大约 90% 时,电流限值更改为 1.85A,而第二个条件是确保最短浪涌延迟周期为从浪涌阶段开始算起 80ms (tINR_DEL)。满足两个浪涌条件(即大容量电容已充满电并且浪涌周期已完成)之后,将允许直流/直流转换器开关。

如果 VRTN - VVSS 大于约 14.8V 的时间超过约 1.8ms,则 PD 恢复到浪涌限制;请注意,在这种特殊情况下,上述关于浪涌阶段持续时间 (80ms) 的第二个条件不适用。