ZHCAD61A September 2023 – October 2023 MCF8315A , MCF8316A
由于 MCF831x 器件是集成式 FET 器件,因此 MOSFET 的导通损耗和关断损耗不可避免地会影响热性能。对于大多数对数集成式 FET 电机控制器件,HS+LS 的 Rds(ON) 为 200mΩ 至 300mΩ,但对于 MCF831x,Rds(ON) (Hs+LS) 为 95mΩ,可以大幅降低导通损耗。而对于 MCF831x,MOSFET 下桥的 Rds(ON)用作采样电阻器,以便进一步降低传统驱动器中采样电阻器导致的损耗。
对于内部 LDO 和降压引起的损耗,请查看图 2-2 中 MCF831x 内部的电源轨路径。
从效率的角度来看,妥善做法是启用内部降压或 LDO,并将降压输出设置为 3.3V,使 LDO 引起的损耗达到最小值。