在此模式下，Q₁ 导通，Q₂ 关断。图 3-3 展示了该模式的等效电路。

因为当 Q₁ 导通时，FET 可以建模为电阻器，该值等于 RDSON。V₁ 可以为自举电容器充电，因此自举电容器的电压会逐渐升高。有一点需要考虑，在此模式下，电感器电流可以继续从接地端流向 HS 点。电感器电流会产生压降，此外，以接地端为基准的 HS 电压会为负值。这种现象会让自举电容器充电至更高的值。假设自举二极管中的压降是 FET 体二极管中的 V_d1 和 V_d2，我们可以得到自举电容器中电压值的公式为：

V_CBOOT1：模式 1 中自举电容器的电压

V_d1：自举二极管的正向压降

V_RDSON：FET 中的压降

图 3-3 模式 1 下的等效电路

但在实践中，自举电容器充电需要一定的时间，如果时间有限，自举二极管的电压就达不到理论的最大值 V_CBOOT1。此外，在模式 2 或 4 中，如果电容器已充电至高于 V_CBOOT1 的值，则自举电容器无法充电。